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2024年9月12日 – 全球領先的先進存儲技術企業三星電子今日宣布，已開始量產其1Tb（兆位）四層單元（QLC）第九代垂直NAND（V-NAND）。 

繼今年4月率先量產第九代三 層單元(TLC) V-NAND 之后，三星此次又率先推出QLC V-NAND，進一步鞏固了其在大容量、高性能NAND閃存市場的領導地位。

三星電子閃存產品與技術負責人、執行副總裁SungHoi Hur表示：“在TLC版本成功量產僅四個月后，QLC第九代V-NAND的成功量產使我們能夠提供一整套先進的SSD解決方案，滿足AI時代的需求。隨著企業級SSD市場在AI應用需求的推動下快速增長，我們將繼續通過QLC和TLC第九代V-NAND鞏固我們在這一領域的市場地位?！?

三星計劃擴大第九代QLC V-NAND的應用，首先從品牌消費類產品開始，逐步擴展到移動通用閃存(UFS)、個人電腦(PC)和服務器固態硬盤(SSD)，為包括云服務提供商在內的客戶提供解決方案。

三星的第九代QLC V-NAND匯集了多項創新技術，帶來了技術突破：

• 三星引以為傲的通道孔蝕刻技術，使得雙堆疊結構在行業中實現了最高的層數。憑借第九代TLC V-NAND積累的技術經驗，優化了單元區和外圍電路的面積，使得位密度較前代QLC V-NAND提高了約86%。

•  “預設模具”技術通過調節單元工作字線（WL）的間距，確保層間及層內單元特性的均勻性與優化。隨著V-NAND層數的增加，這些特性變得尤為重要。采用“預設模具”技術使數據保持性能較之前版本提升了約20%，從而提高了產品的可靠性。

• 預測編程技術通過預測和控制單元狀態變化，減少不必要的操作。借助此技術，三星第九代QLC V-NAND的寫入性能翻倍，數據輸入/輸出速度提升了60%。

• 低功耗設計技術通過減少NAND單元驅動電壓并只感應必要的位線（BL），大幅降低功耗。讀寫數據的功耗分別減少了約30%和50%。